AMD a Samsung Spojují Síly pro Novou Éru AI
AMD a Samsung rozšiřují partnerství pro AI datová centra. AMD bude využívat Samsung HBM4 paměť pro své Instinct MI455X GPU a 6. gen Epyc CPU. Spolupráce zahrnuje i DDR5 a potenciální slévárenské služby pro budoucí AI řešení.
Společnosti AMD a Samsung oznámily významné rozšíření své strategické spolupráce, které má za cíl pohánět novou generaci systémů umělé inteligence. AMD bude nakupovat HBM4 paměť s vysokou propustností od Samsungu pro své nadcházející akcelerátory AI.
Konkrétně se jedná o využití této pokročilé paměti v GPU Instinct MI455X, které je určeno pro AI datová centra, a také v procesorech 6. generace AMD Epyc CPU, známých pod kódovým označením Venice. Tato integrace umožní operátorům datových center kombinovat Instinct GPU s Epyc CPU a architekturami na úrovni racku, jako je platforma AMD Helios, pro podporu nejmodernějších systémů AI.
Memorandum o porozumění bylo podepsáno v pokročilém výrobním komplexu čipů společnosti Samsung v korejském Pyeongtaeku. Slavnostního aktu se zúčastnila generální ředitelka AMD Dr. Lisa Su a generální ředitel a místopředseda společnosti Samsung Electronics Young Hyun Jun. Obě strany zdůraznily, že hluboká spolupráce napříč průmyslem je nezbytná pro urychlení inovací v oblasti AI.
Technologicky vyspělá HBM4 paměť od Samsungu je vyráběna 10nm procesem s 4nm logickým základním čipem a nabízí rychlosti zpracování až 13 Gbps a maximální propustnost 3,3 TBps. Kromě HBM4 budou společnosti Samsung a AMD spolupracovat také na optimalizaci vysoce výkonné paměti DDR5 pro procesory 6. generace Epyc CPU. Dále budou diskutovat o možnostech partnerství v oblasti slévárenství, kde by Samsung mohl poskytovat výrobní služby pro budoucí produkty AMD.
Toto partnerství podtrhuje rostoucí důležitost synergie mezi předními technologickými firmami v honbě za revolucí v oblasti umělé inteligence.
AMD nakupuje HBM4 paměť od Samsungu, aby posílilo své nadcházející AI akcelerátory, jako je GPU Instinct MI455X, a procesory 6. generace Epyc CPU pro AI datová centra. Tato paměť je klíčová pro podporu vysoce výkonných systémů umělé inteligence.
HBM4 paměť od Samsungu je vyráběna 10nm procesem s 4nm logickým základním čipem. Dosahuje rychlostí až 13 Gbps a maximální propustnosti 3,3 TBps.
Kromě dodávek HBM4 paměti se spolupráce rozšíří i na optimalizaci vysoce výkonné paměti DDR5 pro 6. generaci Epyc CPU. Dále se budou diskutovat možnosti partnerství v oblasti slévárenství pro budoucí produkty AMD.