Galaxy S26 Edge: první únik z Geekbenche se Snapdragonem 8 Elite 2 překvapil

Galaxy S26 Edge se poprvé objevil v Geekbench a hned naznačil, jaký posun výkonu můžeme čekat od čipu Snapdragon 8 Elite 2. Testovaný telefon s označením SM-S947U běžel na Androidu 16, měl 12 GB RAM a využíval grafiku Adreno 840. Podle záznamu čipu jde o konfiguraci se dvěma „prime“ jádry až 4,74 GHz a šesti výkonnostními jádry na 3,63 GHz.

V syntetickém testu Geekbench 6 zařízení získalo 3 393 bodů (single-core) a 11 515 bodů (multi-core). Zajímavostí je, že v tomto prvním běhu měla testovaná jednotka podtaktované „prime“ jádro zhruba na 4,0 GHz, takže výsledky mohou jít u finálního softwaru ještě výš.

Pro srovnání: nárůst proti předchozí generaci Snapdragonu 8 Elite odpovídá i dřívějším únikům, které pro Snapdragon 8 Elite 2 mluvily o jednojádrovém skóre nad 4 000 a vícejádrovém přes 11 000 bodů. Tedy výkonu, který má ambici měřit se s nejlepšími mobilními čipy roku.

Je dobré mít na paměti, že jde o rané testy na předprodukčním zařízení. Lepší představu o reálném chování v delší zátěži, spotřebě a teplotách přinesou až oficiální parametry – ty má Qualcomm odhalit už na letošním Snapdragon Summitu (23. září 2025).