Samsung Exynos 2700: Nová generace čipů přináší vyšší výkon a lepší energetickou účinnost

Samsung chystá nový čipset Exynos 2700 vyrobený 2nm technologií druhé generace, který nabídne o 12% vyšší výkon a o 25% nižší spotřebu energie. Čip s kódovým označením Ulysses má přijít v roce 2027.

Samsung Exynos 2700

Společnost Samsung teprve nedávno představila svůj čip Exynos 2600 jako první mobilní čipset vyrobený 2nm technologií, ale už nyní se objevují informace o jeho nástupci. Podle úniku informací bude Exynos 2700 ještě výkonnější a úspornější než současná generace.

Nový čipset s kódovým označením Ulysses má být vyroben pomocí druhé generace 2nm procesu (SF2P) společnosti Samsung. Očekává se, že přinese 12% nárůst celkového výkonu a 25% snížení spotřeby energie ve srovnání s modelem Exynos 2600 (SF2).

Procesor Exynos 2700 by měl být vybaven hlavním jádrem taktovaným na frekvenci 4,2 GHz spolu s jádry ARM C2. Podle dostupných informací by měl čipset dosahovat přibližně 4 800 bodů v jednojádrovém a 15 000 bodů v vícejádrovém testu Geekbench.

Samsung Foundry údajně použije technologii FOWLP-SbS (Side-by-Side) packaging, která zlepšuje tepelnou účinnost a odvod tepla, což by mělo pomoci snížit throttling během náročných úkolů.

Exynos 2700 bude také podporovat LPDDR6 RAM a UFS 5.0 úložiště, což by mělo přinést celkové zlepšení výkonu až o 40%. Očekává se, že bude pohánět řadu Galaxy S27 v některých regionech, zatímco nadcházející modely Galaxy S26 by mohly být v některých zemích vybaveny čipsetem Exynos 2600.

Kdy bude Exynos 2700 uveden na trh a jaké jsou jeho hlavní výhody?

Exynos 2700 by měl být uveden na trh v roce 2027 a jeho hlavní výhody zahrnují 12% nárůst výkonu, 25% snížení spotřeby energie a lepší tepelnou účinnost.

Jaké telefony budou využívat čipset Exynos 2700?

Očekává se, že čipset Exynos 2700 bude použit v telefonech řady Samsung Galaxy S27, které budou uvedeny na trh v roce 2027 v některých regionech světa.

Jaké jsou klíčové technické specifikace nového čipu Samsung?

Klíčové specifikace zahrnují výrobu pomocí 2nm procesu druhé generace, hlavní jádro taktované na 4,2 GHz, podporu LPDDR6 RAM a UFS 5.0 úložiště s celkovým zlepšením výkonu až o 40%.