Samsung má v plánu nastoupit na novou výrobu 16GB LPDDR5 DRAM s použitím třetí generace 10nm (1z) technologického procesu a to ve druhém pololetí tohoto roku, což je teď.
Výrobu započne na výrobní lince v Peyongtaek v Koreji, kde započne výroba právě 16GB LPDDR5 DRAM na 1z procesu.
Právě tyto nové paměti nabídnou opravdu vysokou přenosovou rychlost a otevřou tak nové dveře v tomto odvětví.
Rychlost LPDDR5 je 6,4 Mb/s, což je o 16% rychleji, než 12GB LPDDR5, které jsou v telefonu Galaxy Note 20.
Dále díky výrobnímu procesu je LPDDR5 o 30% tenčí, než jeho předchůdce a uvnitř telefonu zabere méně místa. Nyní 16GB verze paměti bude mít 8 čipů, kdežto předešlá verze procesu musela mít 12 čipů.
Nové LPDDR5 16GB 1z budou umístěny ve vlajkovém telefonu Galaxy S21.
Samsung Galaxy S21 (S30) bude disponovat obrovskou baterií. Samsung zároveň plánuje k telefonu rychlou nabíječku o výkonu 60W.
Samsung Galaxy S21 Exynos 1000 nebude mít AMD GPU. Právě od technologie AMD se hodně slibovalo a mělo tak zlepšit Přečíst si více
Samsung připravuje nový high-end telefon pro příští rok, který pravděpodobně bude vylepšením oproti S20. Samsung se chce zaměřit na zpětnou Přečíst si více
Nový telefon Samsung Galaxy S21+ bude mít větší baterií než předchůdce. Zároveň tady máme test telefonu na Geekbench.