Vypnout reklamy

Samsung dorazí se super rychlým úložištěm v roce 2019

Vydáno dne: 25.10.2018

Technologie se neustále vyvíjejí a některé technologie zároveň pomáhají k vyššímu výkonu. Tentokrát se jedná o masivní vylepšení v oblasti úložiště a dorazí i paměť RAM. Samsung je tím největším výrobcem, co se týče paměťových čipů, takže očekáváme další výrazný postup v této oblasti u chytrých telefonu. V Hong Kongu měl Samsung událost s Qualcomm. […]

Technologie se neustále vyvíjejí a některé technologie zároveň pomáhají k vyššímu výkonu. Tentokrát se jedná o masivní vylepšení v oblasti úložiště a dorazí i paměť RAM. Samsung je tím největším výrobcem, co se týče paměťových čipů, takže očekáváme další výrazný postup v této oblasti u chytrých telefonu. V Hong Kongu měl Samsung událost s Qualcomm.

Úložiště na UFS 3.0

Právě na této události Samsung odhalil plány do budoucna a zveřejnil zde úložiště UFS 3.0, které dorazí na telefony v roce 2019. V této chvíli je standardem UFS 2.1.

Ve zkratce je UFS typ úložiště v moderních chytrých telefonech, kde je operační systém, fotografie a videa. Každý paměťový čip má svou maximální rychlost, což je čtení a zápis. Čím rychleji tyto rychlosti jsou, tak tím rychleji celé zařízení reaguje. UFS 3.0 je čip vyroben za pomocí nejmodernější technologie 3D NAND se kterou vytvoří úložiště 2x rychlejší, než předchozí verze.

UFS 3.0

UFS 3.0

První várka těchto čipů dorazí ve třech variantách 128GB, 256GB a 512GB a 1TB se očekává v roce 2021. To znamená, že již brzy dáme sbohem telefonum s úložištěm 64GB. Toto úložiště dorazí zároveň právě kvůli nové technologií sítě a to je 5G. Je taktéž mnohem rychlejší.

Paměti LPDDR5

Nicméně to není všechno. Samsung chce na trh dostat v roce 2020 nové LPDDR5 RAM čipy. DDR5 paměť zvýší propustnost a to až na 51.2GB/s z nynějších 25GB/s. Zároveň sníží spotřebu energie o 20%. Je velmi důležité, aby nové telefony měly dostatek výkonu, jelikož dorazí nové technologie 5G, Umělá inteligence nebo rozšířená realita.

LPDDR4 je tady s námi již od roku 2014.

Zdroj

Buroň Tomáš
Tágy: