Samsung zahájil distribuci vzorků paměti HBM4E: rychlejší, výkonnější a úspornější
Samsung zahájil distribuci vzorků HBM4E – paměti s kapacitou až 48 GB, rychlostí 14 Gb/s a o 16 % lepší energetickou účinností. Určena pro AI servery a datová centra.
Samsung opět posunul hranice toho, co je v oblasti počítačové paměti možné. Jihokorejský technologický gigant oznámil, že zákazníkům začal rozesílat vzorky nové generace vysokorychlostní paměti označované jako HBM4E. Tato paměť přináší výrazné zlepšení oproti předchozí generaci a je navržena především pro potřeby náročných AI systémů a datových center.
Začátkem tohoto roku Samsung úspěšně zahájil masovou výrobu paměti HBM4 a tehdy přislíbil, že vzorky vylepšené verze HBM4E rozešle zákazníkům ještě v průběhu roku 2026. Tento slib nyní splnil a výsledky jsou působivé.
Aktuální provedení HBM4E využívá 12vrstvou konfiguraci, která poskytuje kapacitu až 48 GB. To je o třetinu více oproti 36 GB, jež nabízí HBM4. Samsung navíc pracuje na dalších variantách, konkrétně na osmivrstvém modulu s kapacitou 32 GB a šestnáctivrstvém provedení s kapacitou 64 GB, čímž chce zákazníkům poskytnout širší škálu možností při návrhu jejich vlastních řešení.
Vedle navýšení kapacity přináší HBM4E také přibližně 20% nárůst rychlosti. Přenosová rychlost na pin nyní dosahuje hodnoty 14 Gb/s, což v součtu znamená celkovou propustnost 3,6 terabajtu za sekundu na jeden zásobník paměti. Pro srovnání, předchozí generace HBM4 dosahovala hodnoty 11,7 Gb/s na pin. Výhledově existuje prostor pro další zlepšení, protože maximální rychlost by mohla v budoucnu vzrůst až na 16 Gb/s.
Technologický základ HBM4E tvoří kombinace paměťových čipů šesté generace s označením „1c“ vyrobených na 10nm třídě procesu a logické základní vrstvy na pokročilém 4nm procesu. Právě tato kombinace umožnila Samsungu dosáhnout výrazně lepší energetické účinnosti, která se zlepšila o celých 16 %. To v praxi znamená, že paměť spotřebovává méně elektrické energie a produkuje méně tepla. Navíc byl přepracován i samotný tepelný design, díky čemuž se tepelný odpor snížil o nejméně 14 %. Chlazení celé paměťové soustavy je tak jednodušší a efektivnější.
Samsung zdůrazňuje, že kapacita výroby HBM4 stále roste a nová generace HBM4E má potenciál ještě více zrychlit rozvoj AI infrastruktury. Sang Joon Hwang, výkonný viceprezident a vedoucí oddělení vývoje paměti v Samsung Electronics, k tomu uvedl, že firma po úspěšném spuštění masové výroby HBM4 opět prokázala svůj technologický náskok a hodlá pokračovat v podpoře růstu globálního trhu s AI pamětí.
Je důležité zmínit, že paměti typu HBM nejsou určeny pro běžné spotřebitelské produkty jako jsou smartphony nebo osobní počítače. Jejich využití je soustředěno výhradně do segmentu drahých AI serverů a superpočítačů, kde jsou schopnosti rychlého přenosu dat a vysoké kapacity naprosto klíčové.
FAQ
- Co je HBM4E a čím se liší od HBM4? HBM4E je vylepšená generace vysokorychlostní paměti s kapacitou až 48 GB a rychlostí 14 Gb/s na pin. Oproti předchůdci HBM4 přináší o třetinu vyšší kapacitu, přibližně o 20 % větší rychlost a o 16 % lepší energetickou účinnost.
- Pro jaké zařízení je paměť HBM4E určena? Tato technologie není určena pro běžné spotřebitele ani mobilní zařízení, ale výhradně pro profesionální AI servery a datová centra, kde je klíčová maximální propustnost dat a vysoká kapacita paměti.
- Plánuje Samsung i další varianty HBM4E? Ano, vedle základního 12vrstvého modulu s kapacitou 48 GB Samsung vyvíjí také osmivrstvou verzi s 32 GB a šestnáctivrstvou verzi s 64 GB, přičemž přenosová rychlost by mohla v budoucnu dosáhnout až 16 Gb/s.