Qualcomm přichází se Snapdragon 835 a Quick Charge 4
Qualcomm už dávno oznámil, že je ve spolupráci se samotným Samsungem a vytvářejí společně nový chipset Snapdragon 835. Ten bude vyráběn na novém Samsung 10nm FinFET procesu. Bude se jednat o nejmenší chipset. Informace z Qualcommu říkají, že právě tento 10nm FinFET proces ušetří 30% místa na něco jiného a zároveň zlepší výkon telefonu o […]
Qualcomm už dávno oznámil, že je ve spolupráci se samotným Samsungem a vytvářejí společně nový chipset Snapdragon 835. Ten bude vyráběn na novém Samsung 10nm FinFET procesu. Bude se jednat o nejmenší chipset.
Informace z Qualcommu říkají, že právě tento 10nm FinFET proces ušetří 30% místa na něco jiného a zároveň zlepší výkon telefonu o 27% a hlavně o 40% klesne spotřeba energie.
Až o 20% rychlejší nabíjení oproti Quick Charge 3
Novinkou také bude nové rychlo nabíjení ve verzi čtyři. Qualcomm informuje, že právě s Quick Charge 4 dokáže nabíjet až o 20% rychleji a o 30% efektivněji, než předešlá verze Quick Charge 3.
Podpora USB-C a USB Power Delivery standard znamená, že dokážete nabíjet stejně rychle, jako USB-PD zařízení Nexus a Pixel telefony.
Quick Charge 4 bude mít třetí generaci INOV nebo-li Intelligent Negotiation for Optimum Voltage, což má za následek kontroly teploty při nabíjení. Podle toho se pak samotné nabíjení řídí.