Vypnout reklamy

Snapdragon 875 bude pohánět zájmena herní telefony

Qualcomm Snapdragon 875

Nejnovější čip Snapdragon 875 bude mít obrovskou rychlost nabíjení a to 100W. Čip bude zájmena umísťován ve vlajkových telefonech.

Snapdragon 865 byl vyroben na 7nm procesu, ale nyní je Snapdragon 875 vyroben na 5nm s modemem X60 5G.

Digital Chat Station informovalo o tom, že příští rok budou herní telefon s dosud neoznámeným čipem Qualcomm. Pro herní telefony skvělá kombinace. Rychlé nabíjení a velká baterie.

Xiaomi taktéž zvažuje 100W Super rychlé nabíjení. Baterie o velikosti 4000mAh se nabije na 100% za 17 minut.