Telefony se Snapdragon čipem budou mít nabíjení o výkonu 150W
Nabíjecí výkon 150W bude součásti nových generací čipů Snapdragon 8 Gen.1. Má se jednat o rychlý čip s vysokým nabíjecím výkonem.
Qualcomm dá do nových vlajkových telefonů čipy Snapdragon 8 Gen 1. podle nového pojmenování. 30. listopadu 2021 budou tyto čipy oznámeny a v prosinci by se měl na trhu objevit první telefon.
S tímto čipem budou mít možnost uživatelé nabíjet telefon o rychlosti 150W, což je nejrychlejší nabíjení, které ještě nikdo nemá. Nicméně podle vyjádření nebude tato možnost rychlého nabíjení dostupná okamžitě, ale časem, protože první várka čipů není na toto připravená.
Xiaomi a Motorola má zařízení ve svém portfoliu, které mají vysoký nabíjecí výkon a vlajkové čipy u Mi 10 Ultra, který je dostupný o roku 2020, tak má výkon nabíjení 120W. Zároveň Xiaomi a Motorola nabídnou nové telefony ke konci tohoto roku již s novou generací čipů.
Ve druhé várce těchto čipů by již nová generace Snapdragon 8 mohla nabídnout 150W rychlé nabíjení. Telefony s tímto výkonem by mohly dorazit v první polovině 2022 a telefon by se tak mohl nabít za 10 minut.
Nový standard Quick Charge 5 zvládne z 0% na 50% nabít telefon za 5 minut.