Test LG G7 ThinQ

LG G7 ThinQ dosáhl překvapivého skóre v testu na GeekBench. Tento telefon dokonce překonává Galaxy S9 v testu ve více vláknech, tedy jedná se většinou o testy pro hry a nejrůznější aplikace, které jsou více náročnější, zde se uplatňují více jádra. V rámci úspory baterie se totiž klasicky využívá pouze jedno jádro. Test LG G7 ThinQ Snapdragon 845 […]

LG G7 ThinQ

LG G7 ThinQ dosáhl překvapivého skóre v testu na GeekBench. Tento telefon dokonce překonává Galaxy S9 v testu ve více vláknech, tedy jedná se většinou o testy pro hry a nejrůznější aplikace, které jsou více náročnější, zde se uplatňují více jádra. V rámci úspory baterie se totiž klasicky využívá pouze jedno jádro.

Odhalení nového telefonu se nezadržitelně blíží a již teď známé spoustu podrobností jak o specifikacích a designu. K dispozici tak máme i nově test výkonu nového telefonu.

LG G7 ThinQ se objevil v testu jako model LGE LM-G710 a vykazuje v testu jedno jádro 2312 bodů a ve více jádrovém testu 8979. Galaxy S9 dosáhl v jedno jádro 3648 bodů, ale v testu více jáder 8894. Telefon LG G7 ThinQ disponuje čipem Qualcomm o frekvenci 1.77 GHz a pamětí 4GB. Běží na čipu Snapdragon 845 a Android 8.0.

Galaxy S9 taktéž na Snapdragon 845 v Číně a USA

Galaxy S9 tímto čipem disponuje pouze na určitém trhu a to v US a Číně. Nicméně je zajímavé, že test jedno-jádra je u LG G7 ThinQ o tolik horší, než u Galaxy S9. Pravděpodobně se jedná o dobrou optimalizaci a spolupráci firmy Qualcomm s Samsung.

zdroj: letsgodigital.org